2-20 模拟混合堆包层部分结构的中子学实验陈 渊对理论上关于混合堆包层承受核行为能力所作预期的检验在设计阶段是非常重要的。完整地模拟混合堆结构的积分实验是相当困难的，因为建立模拟装置是极其昂贵的，而且现有的D- T中子源的产额也远不能满足实验要求。因此需要建立多个实验装置，对理论设计从不同侧面进行检验。
建立的这个装置是用于模拟铅作为中子增殖材料的混合堆包层的部分结构。这个装置是由面积100cm´ 80cm的铁、铅、聚乙烯、铁板的组合，板的厚度分别为5.5、10、6、5.5cm。D-T中子源从装置侧面的中央方向入射，对于反应率和泄漏中子角通量谱测量，中子源距板面分别为1.7、13.5cm。 把In、Al和Fe活化箔放在铅层的与入射中子垂直的实验孔道内和聚乙烯与铁板交界面中央部位上，经过7~8h连续照射后用高纯锗探测器测量活化箔的g 活性，在铅孔内测量的 绝对反应率空间分布如图1所示，实验误差为4%~6%。依靠屏蔽体和准直系统，用NE-213中子谱仪测量了与装置轴线成0o 、20o 和40o 三个方向出射的0.75~14 MeV的中子角通量谱，如图2所示，实验误差为8%~10%。 |
