2-3 低Z材料辐射烧蚀测量方法

杨家敏 丁耀南 陈正林 孙可煦 王红斌 李三伟 缪文勇 成金秀

　　在星光Ⅱ装置上实验测量腔金箔X光源，并提出特殊靶结构，用该X光辐射源探索低Z材料辐射烧蚀测量新方法，用空间时间分辨的条纹相机系统测量得到X光源区和样品自发辐射区的X光辐射时间过程，如图1所示，样品为密度为2.7g/cm³厚度为0.5mm的铝材料，从图中得到获得该样品材料的辐射烧穿时间为350ps。同时，建立了中低Z材料辐射烧蚀物理过程的简化理论模型，编制了相应的数值计算程序，用该程序计算不同初始密度的低Z碳材料在不同强度X光辐射源烧蚀下的辐射加热波和冲击波的传播特性。

    
    （a）条纹相机记录图像        （b）源区和样品自发辐射区X光时间过程
图1 Al样品辐射烧穿时间测量结果

　　在诊断技术方面，为发展透射光栅谱仪定量测量X光能谱技术，1999年在北京同步辐射源上对两块透射光栅的衍射效率在多个能点作了进一步的实验标定，同时配接上X光CCD作为记录系统，编制了透射光栅配X光CCD系统的解谱处理程序，并利用激光打靶进行了实验考核，获得了金等离子体发射的X光能谱。对时空分辨XUV谱仪系统，进一步对门控MCP的微带响应均匀性及抗直穿硬X光的能力进行了考核，并首次调试好平场光栅谱仪，通过打靶，初步获得了较好的铝等离子线谱结果，如图2所示。