3-11 CXH1-X薄膜制备

吴卫东 罗江山 张占文 黄勇

  在碳的众多化合物中,非晶C:H的独特性质引起人们对它们的极大兴趣[12]。作为惯性约束聚变(ICF)靶丸表面的CH涂层就是非晶C:Ha-C:H)。本工作采用低压等离子体化学气相沉积法制备CXH1-X薄膜,并对薄膜的特性进行初步分析。

  其它沉积条件不变,仅改变H2和反式-2-丁烯的流量比,在5:110:1流量比范围内薄膜的沉积速率基本恒定,约3.5nm/min,这表明H2含量对沉积速率无影响。制备好CXH1-X薄膜后,若直接从真空室取出,则薄膜会在几分钟之内起泡并脱离衬底。当用H+H2原位处理样品后,起泡的现象大为改善,当H+处理时间足够长时起泡现象则完全消失。

  CXH1-X薄膜的FT-IR分析结果表明,在CXH1-X薄膜中始终存在着C-C单键和C=C双键,只是sp3杂化的C原子与sp2杂化的C原子的比例随H2与反式–2–丁烯的流量比而异,从谱图上可以看到,在10451096cm-1之间存在一较宽的强吸收峰,在9651631cm-1处也有吸收,这表明在CXH1-X薄膜中存在=C–O–C振动;在3420cm-1处强而宽的吸收峰说明存在着-OH基团。1451cm-1可能对应着–CH基团,因受电负性较大的氧原子的影响,使得CH3上碳原子的电荷分布发生较大的变化,从而使CH3的对称振动频率增加。

  CXH1-X薄膜的XPS谱清晰地显示了C1s),O1s)以及很弱的N1s)的吸收峰,这说明在CXH1–X薄膜的表面存在着CO原子和极微量的N原子。CxH1-x薄膜制备中使用了不含氧的高纯气体,包括整个通气管道在内的制备环境为5m Pa的高背景真空度,所以新制备CxH1–x薄膜在未暴露大气前基本上不含O原子。IR谱指示的–OH–C=O=C–O–C等基团是CxH1–x薄膜表面大量存在的悬挂键与空气中的ONH2O等结合的产物。

  将CxH1–x薄膜用Ar离子刻蚀掉2nm层厚后所作XPS分析结果表明,氧原子的含量大为减少,原表面与刻蚀后的表面CO原子数量比由约4:1变化为24.7:1。对在相同条件下沉积的CXH1–X薄膜分别用H+原位处理1h2h之后,所作的XPS显示出明显不同的O含量, H+处理2h之后的表面CO原子比仅约为18:1。这说明,CXH1-X薄膜表面的悬挂键被H所饱和,处理的时间越长,被饱和的悬挂键越多,表面CO原子比越高。

  CXH1-X薄膜的FT–IRXPS谱分析结果表明:在薄膜中,存在C–C单键和相当数量的C=C双键,即存在着sp3杂化的碳原子和sp2杂化的碳原子,它们的数量及比例与沉积条件有关。这方面的进一步研究工作正在进行中。

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