2-40 钚材料系统生成核分析

张本爱 宋红州

  在钚材料裂变系统中,钚同位素(237Pu)的生成主要是高能中子同239Pu作用发生两步(n,2n)反应和一步(n,3n)反应造成的。由于(n,2n)反应的阈能低于(n,3n)反应的阈能,聚变中子的(n,2n)平均截面一般甚大于(n, 3n)平均截面。但是,237Pu的生成量不但与反应激发函数(截面随激发中子能量变化)有关,而且还与中子场的能量分布以及时间积分注量有关。源中子能谱的高能成分增加,会严重影响材料核各个中子反应道平均截面,尤其是(n,3n)的平均截面,从而影响237Pu的生成量。同位素演化方程采用如下常见形式

  这里假定了在含钚材料的空间区域内,材料核数密度均匀分布,并且常截面假定成立。上式中,ng 2n3n为道标,a表示核消失。通过分析近似求解上述方程,可推出239Pu(n , 3n)反应在tf时刻前产生的237Pu量与(n , 2n)反应得出的相应量之比为

  上式中,f (tf)为系统达到测量终态时刻tf之前的积分中子注量,为平均截面,

1 三种状态下反应前后产生量比值

模型

外源中子能谱

外源中子空间分布

中子注量f M

比值

1

D- T聚变源中子能谱

中心点源

M·NA·0.254×10-27

92.675/M

2

Godiva

中心点源

M·NA·0.135×10-27

7.942/M

3

Watt型裂变谱

中心点源

M·NA·0.229×10-27

6.419/M

NAAvogadro常数,M为以NA为单位的源中子数目。

  选择一个典型模型,把几种中子源作为外源,使用M.C.方法得到由一个源中子在该模型Pu区里形成的中子注量能谱和积分中子注量,并将注量能谱作为w(E)而定出平均截面。由此可估算出钚材料中237Pu的生成量和相应的Ratio值。外源的能谱分别取为D-T聚变源中子能谱、GODIVA谱和WATT型裂变谱。相应的计算结果见表1

  计算结果表明,在0~20MeV能域内,当源中子数不是很大时(小于0.1mol量级),237Pu由二步(n,2n)反应生成的量甚少于一步(n,3n)反应的生成量,即二步过程竞争不过一步过程。237Pu的生成主要由239Pu(n,3n)反应贡献。尤其当中子源为聚变中子时,由239Pu的二步(n,2n)反应贡献的237Pu产量基本可以忽略。通过以上的分析,可以对生成核237Pu的测量反推得到裂变区内积分中子注量强度,这是诊断D- T聚变的一个重要途径。

go-back.gif (221 bytes)