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D波段功率放大器设计

刘杰 张健 蒋均 田遥岭 邓贤进

刘杰, 张健, 蒋均, 等. D波段功率放大器设计[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 023102. doi: 10.11884/HPLPB201628.023102
引用本文: 刘杰, 张健, 蒋均, 等. D波段功率放大器设计[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 023102. doi: 10.11884/HPLPB201628.023102
Liu Jie, Zhang Jian, Jiang Jun, et al. Design of D-band power amplifier[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 023102. doi: 10.11884/HPLPB201628.023102
Citation: Liu Jie, Zhang Jian, Jiang Jun, et al. Design of D-band power amplifier[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 023102. doi: 10.11884/HPLPB201628.023102

D波段功率放大器设计

doi: 10.11884/HPLPB201628.023102
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    通讯作者:

    刘杰

Design of D-band power amplifier

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出版历程
  • 收稿日期:  2015-09-04
  • 修回日期:  2015-11-02
  • 刊出日期:  2016-02-15

D波段功率放大器设计

doi: 10.11884/HPLPB201628.023102
    通讯作者: 刘杰

摘要: 基于0.13 m SiGe BiCMOS工艺, 研究和设计了一种D波段功率放大器芯片。该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成。功率放大器单元采用了三级的cascode电路结构。低损耗的片上T型结网络既能起到片上功率合成/分配的功能, 又能对输入输出进行阻抗匹配。对电路结构进行了设计、流片验证和测试。采用微组装工艺将该芯片封装成为波导模块。小信号测试结果表明:该功放芯片工作频率为125~150 GHz, 最高增益在131 GHz为21 dB, 最低增益在150 GHz为17 dB, 通带内S22小于-7 dB, S11小于-10 dB。大信号测试结果表明:该功放模块在128~146 GHz带内输出功率都大于13 dBm, 在139 GHz时, 具有最高输出功率为13.6 dBm, 且1 dB压缩功率为12.9 dBm。

English Abstract

刘杰, 张健, 蒋均, 等. D波段功率放大器设计[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 023102. doi: 10.11884/HPLPB201628.023102
引用本文: 刘杰, 张健, 蒋均, 等. D波段功率放大器设计[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 023102. doi: 10.11884/HPLPB201628.023102
Liu Jie, Zhang Jian, Jiang Jun, et al. Design of D-band power amplifier[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 023102. doi: 10.11884/HPLPB201628.023102
Citation: Liu Jie, Zhang Jian, Jiang Jun, et al. Design of D-band power amplifier[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 023102. doi: 10.11884/HPLPB201628.023102

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