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325 MHz spoke腔的二次电子倍增效应

徐波 李中泉 沙鹏 王光伟 潘卫民 何源

徐波, 李中泉, 沙鹏, 王光伟, 潘卫民, 何源. 325 MHz spoke腔的二次电子倍增效应[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 2723-2726. doi: 10.3788/HPLPB20122411.2723
引用本文: 徐波, 李中泉, 沙鹏, 王光伟, 潘卫民, 何源. 325 MHz spoke腔的二次电子倍增效应[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 2723-2726. doi: 10.3788/HPLPB20122411.2723
Xu Bo, Li Zhongquan, Sha Peng, Wang Guangwei, Pan Weimin, He Yuan. Multipacting of 325 MHz spoke cavity for Accelerator Driven sub-critical System[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 2723-2726. doi: 10.3788/HPLPB20122411.2723
Citation: Xu Bo, Li Zhongquan, Sha Peng, Wang Guangwei, Pan Weimin, He Yuan. Multipacting of 325 MHz spoke cavity for Accelerator Driven sub-critical System[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 2723-2726. doi: 10.3788/HPLPB20122411.2723

325 MHz spoke腔的二次电子倍增效应

doi: 10.3788/HPLPB20122411.2723

Multipacting of 325 MHz spoke cavity for Accelerator Driven sub-critical System

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-12-07
  • 修回日期:  2012-03-19
  • 刊出日期:  2012-11-01

325 MHz spoke腔的二次电子倍增效应

  • 1. 中国科学院 高能物理研究所, 北京 1 00049;
  • 2. 中国科学院 近代物理研究所, 兰州 730000

摘要: 采用CST软件的粒子工作室模块, 对spoke超导腔中可能发生的二次电子倍增效应进行了分析研究,并采用二次电子倍增效应发生后形成稳定状态时的粒子数增长率来表征其强度。模拟计算表明:该腔存在两处二次电子倍增效应,spoke柱两端的两点一阶倍增; spoke腔两端侧壁与中心圆筒交界处的单点一阶倍增;二次电子倍增在加速腔压为0.65 MV时的增长率最高,而腔压大于1 MV时,增长率均为负,即无倍增发生。

English Abstract

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