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高功率微波介质窗表面电子倍增二维粒子模拟

范壮壮 王洪广 林舒 李永东 刘纯亮

范壮壮, 王洪广, 林舒, 等. 高功率微波介质窗表面电子倍增二维粒子模拟[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 063012. doi: 10.11884/HPLPB201426.063012
引用本文: 范壮壮, 王洪广, 林舒, 等. 高功率微波介质窗表面电子倍增二维粒子模拟[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 063012. doi: 10.11884/HPLPB201426.063012
Fan Zhuangzhuang, Wang Hongguang, Lin Shu, et al. Two dimensional particle-in-cell simulation of electron multipactor on high power microwave dielectric window surface[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 063012. doi: 10.11884/HPLPB201426.063012
Citation: Fan Zhuangzhuang, Wang Hongguang, Lin Shu, et al. Two dimensional particle-in-cell simulation of electron multipactor on high power microwave dielectric window surface[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 063012. doi: 10.11884/HPLPB201426.063012

高功率微波介质窗表面电子倍增二维粒子模拟

doi: 10.11884/HPLPB201426.063012
详细信息
    通讯作者:

    王洪广

Two dimensional particle-in-cell simulation of electron multipactor on high power microwave dielectric window surface

  • 摘要: 基于第一性原理的粒子模拟方法,对高功率微波器件中介质窗表面电子实际形成和发展的变化情况进行了研究。使用VORPAL粒子模拟软件,建立一个简单的TEM波垂直入射介质窗表面的二维模型,采用Vaughan二次电子发射模型,利用蒙特卡罗碰撞方法处理电子与背景气体之间的弹性碰撞、激发碰撞和电离碰撞,获得了介质窗表面电子倍增的图像。模拟结果表明,介质窗表面电子数量在一定的时间内达到饱和状态,其振荡频率是入射射频电场频率的两倍。改变初始发射种子电子的数量、入射射频电场的幅值以及背景气体的压强等关键性参数,可得到不同条件下介质窗表面电子数量的变化规律。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-11-18
  • 修回日期:  2014-01-15
  • 刊出日期:  2014-05-15

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