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沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究

吴健 甘雷 蒋勇 李俊杰 李勐 邹德慧 范晓强

吴健, 甘雷, 蒋勇, 等. 沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 084004. doi: 10.11884/HPLPB201527.084004
引用本文: 吴健, 甘雷, 蒋勇, 等. 沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 084004. doi: 10.11884/HPLPB201527.084004
Wu Jian, Gan Lei, Jiang Yong, et al. Monte Carlo simulations of microstructured semiconductor neutron detectors with trench patterns[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 084004. doi: 10.11884/HPLPB201527.084004
Citation: Wu Jian, Gan Lei, Jiang Yong, et al. Monte Carlo simulations of microstructured semiconductor neutron detectors with trench patterns[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 084004. doi: 10.11884/HPLPB201527.084004

沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究

doi: 10.11884/HPLPB201527.084004

Monte Carlo simulations of microstructured semiconductor neutron detectors with trench patterns

  • 摘要: 采用蒙特卡罗模拟方法研究了微结构参数、填充致密度等因素对沟槽型微结构半导体中子探测器(MSND)性能的影响规律,并开展了沟槽型MSND的优化设计研究。研究表明,随着沟槽间距的增加,MSND的探测效率呈下降趋势;当沟槽间距固定时,存在最优的沟槽宽度使得探测效率最大化;沟槽深度越大,探测效率越高。沟槽宽度和沟槽间距为15 m和5 m是一对优化的参数组合,可保证较高的探测效率和较平稳的系统甄别阈-探测效率曲线。当系统甄别阈取300 keV时,沟槽宽度、间距和深度分别为15,5 m和200 m时的MSND热中子本征探测效率可达37.77%,与平面探测器相比提高了9.2倍;对137Cs源662 keV伽马射线的中子-伽马射线甄别比可达4.1103,与平面探测器相比提高了23.7倍。本工作从理论上证明了MSND可解决传统平面型半导体中子探测器探测效率低的难题,同时可保持半导体探测器中子-伽马射线甄别容易的特点。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-03-13
  • 修回日期:  2015-04-30
  • 刊出日期:  2015-08-11

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