留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于多物理场计算的二极管雪崩击穿效应分析

徐可 曾洪正 陈星

徐可, 曾洪正, 陈星. 基于多物理场计算的二极管雪崩击穿效应分析[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 103213. doi: 10.11884/HPLPB201527.103213
引用本文: 徐可, 曾洪正, 陈星. 基于多物理场计算的二极管雪崩击穿效应分析[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 103213. doi: 10.11884/HPLPB201527.103213
Xu Ke, Zeng Hongzheng, Chen Xing. Analysis of avalanche breakdown within Schottky diode based on multi-physics simulation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 103213. doi: 10.11884/HPLPB201527.103213
Citation: Xu Ke, Zeng Hongzheng, Chen Xing. Analysis of avalanche breakdown within Schottky diode based on multi-physics simulation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 103213. doi: 10.11884/HPLPB201527.103213

基于多物理场计算的二极管雪崩击穿效应分析

doi: 10.11884/HPLPB201527.103213
详细信息
    通讯作者:

    徐可

Analysis of avalanche breakdown within Schottky diode based on multi-physics simulation

  • 摘要: 基于电磁场、半导体物理及热力学方程的半导体器件多物理场模型方程组共同描述了器件内部的电热特性。而半导体器件在反向电压作用下,会发生碰撞电离及雪崩击穿现象。采用多物理场计算方法仿真型号为HSMS-282C的肖特基二极管的雪崩击穿现象,仿真结果与实验测量结果吻合,表明该算法能准确表征二极管物理特性,并对效应现象给出物理机理解释。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  1173
  • HTML全文浏览量:  267
  • PDF下载量:  677
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2015-06-08
  • 修回日期:  2015-06-21
  • 刊出日期:  2015-10-13

目录

    /

    返回文章
    返回