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控制器组件γ瞬时辐射效应研究

王义元 沈宗月 赵志明 韩冬梅 柳征勇

王义元, 沈宗月, 赵志明, 等. 控制器组件γ瞬时辐射效应研究[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 044001. doi: 10.11884/HPLPB201628.124001
引用本文: 王义元, 沈宗月, 赵志明, 等. 控制器组件γ瞬时辐射效应研究[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 044001. doi: 10.11884/HPLPB201628.124001
Wang Yiyuan, Shen Zongyue, Zhao Zhiming, et al. Transient ionizing radiation effects of electrocircuit system[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 044001. doi: 10.11884/HPLPB201628.124001
Citation: Wang Yiyuan, Shen Zongyue, Zhao Zhiming, et al. Transient ionizing radiation effects of electrocircuit system[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 044001. doi: 10.11884/HPLPB201628.124001

控制器组件γ瞬时辐射效应研究

doi: 10.11884/HPLPB201628.124001
详细信息
    通讯作者:

    王义元

Transient ionizing radiation effects of electrocircuit system

  • 摘要: 瞬时电离辐射在电子器件内部形成的光电流可引起器件输出扰动,导致电路中部分器件受电源、输入信号及自身产生光电流扰动的多重影响,而单独对器件进行试验无法反映瞬时辐射输出扰动在电子组件系统中的传递影响。为此对由DC/DC、稳压器、单片机CPU,FPGA等组成的控制器组件在2.8105~1.7107 Gy(Si)/s的范围内开展了瞬时辐射效应的试验研究。试验中对组件功能和器件参数的测试结果表明,在较小的瞬时剂量率下,部分器件输出受到影响,但组件功能正常;较大剂量率时,所有器件均受影响,且组件功能中断。同时观测到瞬时辐射形成的扰动信号在器件间传输现象。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-10-30
  • 修回日期:  2015-12-25
  • 刊出日期:  2016-04-15

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