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以太网芯片重离子单粒子效应试验

夏加高 李文新 权昕 李泰国 赵彦荣

夏加高, 李文新, 权昕, 等. 以太网芯片重离子单粒子效应试验[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 084004. doi: 10.11884/HPLPB201628.150892
引用本文: 夏加高, 李文新, 权昕, 等. 以太网芯片重离子单粒子效应试验[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 084004. doi: 10.11884/HPLPB201628.150892
Xia Jiagao, Li Wenxin, Quan Xin, et al. Experimental research of heavy-ion single-event effect on Ethernet chip[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 084004. doi: 10.11884/HPLPB201628.150892
Citation: Xia Jiagao, Li Wenxin, Quan Xin, et al. Experimental research of heavy-ion single-event effect on Ethernet chip[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 084004. doi: 10.11884/HPLPB201628.150892

以太网芯片重离子单粒子效应试验

doi: 10.11884/HPLPB201628.150892
详细信息
    通讯作者:

    夏加高

Experimental research of heavy-ion single-event effect on Ethernet chip

  • 摘要: 为评估和研究工业以太网芯片KSZ8851-16MLLJ在空间环境中的适应性,利用重离子源对芯片进行了单粒子试验。根据以太网芯片的结构和功能制订了单粒子实验方案,得出了实验数据,并对实验数据进行了整理和研究。实验和研究表明:工业以太网芯片KSZ8851-16MLLJ具有一定的抗单粒子辐射能力;在不同网络传输条件下,发生单粒子翻转的机率也不相同;在持续的单粒子辐射下,以太网芯片会发生电流阶跃,第二次电流阶跃时产生单粒子锁定,在工程应用中可以利用电流阶跃监测芯片的辐射水平。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-09-26
  • 修回日期:  2016-02-03
  • 刊出日期:  2016-08-15

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