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基于二次电子发射的离子束剖面测量

王小胡 杨振 章林文 龙继东 魏涛 杨国君 张卓

王小胡, 杨振, 章林文, 等. 基于二次电子发射的离子束剖面测量[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2121-2124. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2121
引用本文: 王小胡, 杨振, 章林文, 等. 基于二次电子发射的离子束剖面测量[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2121-2124. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2121
Wang Xiaohu, Yang Zhen, Zhang Linwen, et al. An ion beam profiler based on secondary electron emission[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2121-2124. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2121
Citation: Wang Xiaohu, Yang Zhen, Zhang Linwen, et al. An ion beam profiler based on secondary electron emission[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2121-2124. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2121

基于二次电子发射的离子束剖面测量

doi: 10.3788/HPLPB20132508.2121
详细信息
    通讯作者:

    龙继东

An ion beam profiler based on secondary electron emission

  • 摘要: 介绍了利用二次电子发射测量束流强度分布的基本原理。针对能量为几十keV的低能离子束,制作了一个基于印刷线路板工艺的离子束剖面测量系统模型。模型采用宽度1.8 mm的金属条作为收集电极,相邻两条之间的间距为2 mm。利用电子回旋共振源对束流剖面测量系统进行了性能测试,考察了网栅电压对信号收集的影响以及系统的线性响应和成像特性。结果表明,探测器输出信号与束流强度之间具有较好的线性关系,系统能得到离子束的一维横向强度分布,位置分辨率2 mm。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-01-20
  • 修回日期:  2013-05-09
  • 刊出日期:  2013-06-19

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