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高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术

唐淳 武德勇 严地勇 杨森林 邵英斌 杨成龙

唐淳, 武德勇, 严地勇, 等. 高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术[J]. 强激光与粒子束, 2000, 12(05).
引用本文: 唐淳, 武德勇, 严地勇, 等. 高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术[J]. 强激光与粒子束, 2000, 12(05).

高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术

  • 摘要: 对高占空比、高功率线阵二极管激光器的封装技术进行了研究,给出了封装器件性能测试结果:在占空比20%(200μs,1000Hz)时获得峰值功率大于40 W的激光输出,100~1000Hz 重复频率下,输出激光中心波长为 805~808 nm, 谱线宽度3.2~4.2 nm,激光起伏小于 1%。
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  • 刊出日期:  2000-10-15

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