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1.06 μm连续激光辐照TiO2/SiO2/K9薄膜元件温升规律研究

周维军 袁永华 桂元珍 沈志学

周维军, 袁永华, 桂元珍, 等. 1.06 μm连续激光辐照TiO2/SiO2/K9薄膜元件温升规律研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(09).
引用本文: 周维军, 袁永华, 桂元珍, 等. 1.06 μm连续激光辐照TiO2/SiO2/K9薄膜元件温升规律研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(09).
zhou wei-jun, yuan yong-hua, gui yuan-zhen, et al. Thermal effect of T TiO2/SiO2/K9 film by 1.06 μm CW laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: zhou wei-jun, yuan yong-hua, gui yuan-zhen, et al. Thermal effect of T TiO2/SiO2/K9 film by 1.06 μm CW laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

1.06 μm连续激光辐照TiO2/SiO2/K9薄膜元件温升规律研究

Thermal effect of T TiO2/SiO2/K9 film by 1.06 μm CW laser

  • 摘要: 利用1.06 μm连续激光在不同强度下辐照TiO2/SiO2/K9薄膜元件,实验中用红外热像仪测量激光辐照在TiO2/SiO2/K9元件表面引起的温升随时间的变化,通过数据处理,获得激光辐照区域最高温度随辐照时间的增加而增加。同时,给出材料温升随材料发射率的变化关系。并用程序模拟不同激光强度下薄膜温度场的分布,通过实验测量数据校正数值模拟计算结果,给出TiO2/SiO2/K9薄膜元件温度随激光辐照强度和辐照时间的变化规律。并且获得在薄膜厚度方向:薄膜表面温度最高,基底与薄膜接触处温度最低;沿径向:激光辐照中心温度最高,边沿温度最低。
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-09-15

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