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同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析

章勇华 杨志强 李平 王宏军 宋晓欣 宁辉

章勇华, 杨志强, 李平, 等. 同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17: 245- .
引用本文: 章勇华, 杨志强, 李平, 等. 同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17: 245- .
zhang yong-hua, yang zhi-qiang, li ping, et al. Elementary analysis on breakdown phenomenon of coaxial-cable and connector[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17: 245- .
Citation: zhang yong-hua, yang zhi-qiang, li ping, et al. Elementary analysis on breakdown phenomenon of coaxial-cable and connector[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17: 245- .

同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析

Elementary analysis on breakdown phenomenon of coaxial-cable and connector

  • 摘要: 介绍了同轴电缆头和转接头的HPM击穿实验研究方法,给出了几种电缆头和转接头微波击穿功率随微波频率、脉冲宽度、重复频率和脉冲持续时间变化规律的实验研究结果。结果表明:微波击穿发生在同轴电缆头连接处,是电缆接头沿面滑闪,且击穿功率随同轴电缆及转接头尺寸的减小而降低;击穿功率也随微波脉冲宽度(30 ns~1 μs)的增大而减小,并且在100 ns附近有一拐点;在低重复频率(1~1000 Hz)下,重频对击穿功率的影响不大;微波频率在2.856~9.37 GHz变化时,微波频率对击穿功率的影响不明显;微波脉冲宽度较窄时(几十ns以下),击穿功率随持续时间变化不大,脉冲宽度较宽时(百ns以上),击穿阈值随持续时间的增大而下降。
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  • 刊出日期:  2005-02-15

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