留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

带辅助磁场等离子体断路开关的数值模拟

陈玉兰 曾正中 孙凤举

陈玉兰, 曾正中, 孙凤举. 带辅助磁场等离子体断路开关的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2003, 15(06).
引用本文: 陈玉兰, 曾正中, 孙凤举. 带辅助磁场等离子体断路开关的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2003, 15(06).
chen yu-lan, zeng zheng-zhong, sun feng-ju. Particle-in-cell simulations of plasma opening switch with external magnetic field[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2003, 15.
Citation: chen yu-lan, zeng zheng-zhong, sun feng-ju. Particle-in-cell simulations of plasma opening switch with external magnetic field[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2003, 15.

带辅助磁场等离子体断路开关的数值模拟

Particle-in-cell simulations of plasma opening switch with external magnetic field

  • 摘要: 利用全电磁网格粒子方法模拟了外加磁场对等离子体断路开关(POS)断路性能的影响,给出了电压倍增系数与外加磁场的关系曲线。数值模拟表明,外加轴向磁场线圈必须放在同轴型POS阴极的同侧才能显著改善开关的断路性能;当外加角向磁场时,内电极为阴、阳极的同轴型POS的断路性能都得到了不同程度的改善。随着外加磁场的增大,电压倍增系数将达到饱和。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  2380
  • HTML全文浏览量:  231
  • PDF下载量:  486
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2003-06-15

目录

    /

    返回文章
    返回