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强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响

杨志安 靳涛 杨祖慎 姚育娟 罗尹虹 戴慧莹

杨志安, 靳涛, 杨祖慎, 等. 强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响[J]. 强激光与粒子束, 2002, 14(02).
引用本文: 杨志安, 靳涛, 杨祖慎, 等. 强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响[J]. 强激光与粒子束, 2002, 14(02).
yang zhi-an, jin tao, yang zu-shen, et al. Radiation impairment effects on C-V curves and I-V curves of Si-SiO2 interface induced by intense pulse X-ray[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2002, 14.
Citation: yang zhi-an, jin tao, yang zu-shen, et al. Radiation impairment effects on C-V curves and I-V curves of Si-SiO2 interface induced by intense pulse X-ray[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2002, 14.

强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响

Radiation impairment effects on C-V curves and I-V curves of Si-SiO2 interface induced by intense pulse X-ray

  • 摘要: 利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了C-V曲线和I-V曲线。实验发现,经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,使C-V曲线产生了正向漂移,这一点与低剂量率辐射结果不同;辐射后,感生I-V曲线产生畸变;特别地,从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性 参数明显退化,最后甚至失效。讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO2界面产生损伤的机理,并对实验结果进行了解释。
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  • 刊出日期:  2002-04-15

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