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X射线不同方向辐照80C196KC20单片机研究

牟维兵 徐曦

牟维兵, 徐曦. X射线不同方向辐照80C196KC20单片机研究[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(02).
引用本文: 牟维兵, 徐曦. X射线不同方向辐照80C196KC20单片机研究[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(02).
mu wei-bing, xu xi. 80C196KC20 microprocessor irradiated by X-ray in different directions[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.
Citation: mu wei-bing, xu xi. 80C196KC20 microprocessor irradiated by X-ray in different directions[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.

X射线不同方向辐照80C196KC20单片机研究

80C196KC20 microprocessor irradiated by X-ray in different directions

  • 摘要: 为明确X射线不同方向入射对器件的影响,利用中国测试技术研究院的直流SJ-A X光机产生的X射线,从与垂直80C196KC20单片机表面不同方向角度对单片机进行辐照试验。试验结果显示,随着辐照角度由0°增加到90°,单片机所受的影响逐渐减小,90°时最不明显,表明此种单片机外壳在对其X射线总剂量效应的影响最大,原因在于X射线在不同方向照射时,需要穿过不同厚度的封套材料,X射线在此过程受到的衰减不同。
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  • 刊出日期:  2007-02-15

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