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强光致CCD过饱和效应机理分析

张震 程湘爱 姜宗福

张震, 程湘爱, 姜宗福. 强光致CCD过饱和效应机理分析[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(02).
引用本文: 张震, 程湘爱, 姜宗福. 强光致CCD过饱和效应机理分析[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(02).
zhang zhen, cheng xiang’ai, jiang zongfu. Mechanism analysis of CCD excessive saturation effect induced by intense light[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.
Citation: zhang zhen, cheng xiang’ai, jiang zongfu. Mechanism analysis of CCD excessive saturation effect induced by intense light[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.

强光致CCD过饱和效应机理分析

Mechanism analysis of CCD excessive saturation effect induced by intense light

  • 摘要: 分析了正常工作条件下CCD信号检测电路工作的全过程;指出了在正常工作状态下CCD对检测电路的注入是以低占空比的周期性窄脉冲方式进行的,配合有效的复位机制,使每个像素的复位电平保持为常值。根据CCD过饱和状态的产生条件和CCD信号传输沟道内的电势分布特点,提出了CCD过饱和状态的物理实质,即激光在CCD的受辐照点处提供了一个光生电流源,光生电荷将CCD的传输势阱全部填满之后使得CCD由一个电荷器件转变为一个电流器件。电流通过由CCD时钟的低电平所确定的沟道传输,使CCD对检测电路的注入以近乎连续的周期性长脉冲方式进行,导致了复位电平的改变,造成过饱和的视频图像。
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-02-15

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