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碳化硅纳米线的电子发射特性

陈忠道 白书欣 李公义 李效东 万红

陈忠道, 白书欣, 李公义, 等. 碳化硅纳米线的电子发射特性[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(12).
引用本文: 陈忠道, 白书欣, 李公义, 等. 碳化硅纳米线的电子发射特性[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(12).
chen zhongdao, bai shuxin, li gongyi, et al. Intense electron emission of SiC nanowires cathode used in high power microwave[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.
Citation: chen zhongdao, bai shuxin, li gongyi, et al. Intense electron emission of SiC nanowires cathode used in high power microwave[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.

碳化硅纳米线的电子发射特性

Intense electron emission of SiC nanowires cathode used in high power microwave

  • 摘要: 以聚碳硅烷为原料,通过1 200 ℃高温裂解工艺制备了碳化硅纳米线,并采用碳化硅纳米线作为高功率微波源用阴极材料,进行了电子发射实验。结果表明:与天鹅绒阴极材料相比,碳化硅纳米线具有更高的电子发射电流密度,在115 kV外加激励脉冲高压下,电子发射密度为23.7 kA/cm2,而天鹅绒材料为14.0 kA/cm2,并具有更好的电子发射品质及更长的使用寿命。因此碳化硅纳米线作为高功率微波源用阴极,具有很好的应用潜力。
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-12-07

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