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脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响

米国浩 杜正伟 曹雷团 吴强 陈曦

米国浩, 杜正伟, 曹雷团, 等. 脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 053203. doi: 10.11884/HPLPB201426.053203
引用本文: 米国浩, 杜正伟, 曹雷团, 等. 脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 053203. doi: 10.11884/HPLPB201426.053203
Mi Guohao, Du Zhengwei, Cao Leituan, et al. Influence of HEMP pulse width on burnout effects of RS flip-flops[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 053203. doi: 10.11884/HPLPB201426.053203
Citation: Mi Guohao, Du Zhengwei, Cao Leituan, et al. Influence of HEMP pulse width on burnout effects of RS flip-flops[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 053203. doi: 10.11884/HPLPB201426.053203

脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响

doi: 10.11884/HPLPB201426.053203
详细信息
    通讯作者:

    杜正伟

Influence of HEMP pulse width on burnout effects of RS flip-flops

  • 摘要: 利用实验室自主开发的二维半导体器件-电路联合仿真器对RS触发器在核电磁脉冲注入下的烧毁情况进行研究,发现烧毁发生在RS触发器内n沟道增强型MOSFET栅极和漏极之间的沟道内。RS触发器烧毁的功率阈值随着脉冲宽度的增加而降低,当脉冲宽度大于80 ns后阈值变化很小。根据仿真结果,通过热传导方程对RS触发器的烧毁情况进行建模,得到了不同脉冲宽度核电磁脉冲注入下RS触发器烧毁功率阈值的理论模型,仿真结果证明了理论模型的正确性。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-22
  • 修回日期:  2014-01-16
  • 刊出日期:  2014-05-04

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