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GaAs PIN二极管电热特性

戚玉佳 李永东 周家乐 王洪广 李平 刘纯亮

戚玉佳, 李永东, 周家乐, 等. GaAs PIN二极管电热特性[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 065009. doi: 10.11884/HPLPB201426.065009
引用本文: 戚玉佳, 李永东, 周家乐, 等. GaAs PIN二极管电热特性[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 065009. doi: 10.11884/HPLPB201426.065009
Qi Yujia, Li Yongdong, Zhou Jiale, et al. Electric thermal characteristics of GaAs PIN diodes[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 065009. doi: 10.11884/HPLPB201426.065009
Citation: Qi Yujia, Li Yongdong, Zhou Jiale, et al. Electric thermal characteristics of GaAs PIN diodes[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 065009. doi: 10.11884/HPLPB201426.065009

GaAs PIN二极管电热特性

doi: 10.11884/HPLPB201426.065009
详细信息
    通讯作者:

    李永东

Electric thermal characteristics of GaAs PIN diodes

  • 摘要: 通过T-CAD软件建立了PIN 二极管的电学模型和热学模型, 模拟了PIN 二极管的稳态与瞬态特性。研究了PIN 二极管器件在正反偏压和脉冲电压下的电学特性及热学特性, 讨论了PIN二极管的I层厚度与温度的关系, 模拟得到了不同I层厚度的稳态与瞬态响应曲线、得到了与器件内部温度的关系。模拟结果表明: 随着I层厚度的增加,器件内部最高温度增长减慢,器件内部最高温度区由结区位置向器件的中间位置移动。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-11-15
  • 修回日期:  2014-03-21
  • 刊出日期:  2014-05-15

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