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基于严格电磁场模型的光学光刻仿真

王飞 周再发 李伟华 黄庆安

王飞, 周再发, 李伟华, 等. 基于严格电磁场模型的光学光刻仿真[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024106. doi: 10.11884/HPLPB201527.024106
引用本文: 王飞, 周再发, 李伟华, 等. 基于严格电磁场模型的光学光刻仿真[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024106. doi: 10.11884/HPLPB201527.024106
Wang Fei, Zhou Zaifa, Li Weihua, et al. Rigorous electromagnetic field model for optical lithography simulation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024106. doi: 10.11884/HPLPB201527.024106
Citation: Wang Fei, Zhou Zaifa, Li Weihua, et al. Rigorous electromagnetic field model for optical lithography simulation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024106. doi: 10.11884/HPLPB201527.024106

基于严格电磁场模型的光学光刻仿真

doi: 10.11884/HPLPB201527.024106
详细信息
    通讯作者:

    周再发

Rigorous electromagnetic field model for optical lithography simulation

  • 摘要: 光学光刻技术已广泛应用于微电子机械系统(MEMS)以及集成电路(IC)领域。由于光刻工艺设备的价格十分昂贵,因此利用光刻仿真这一技术来预期工艺结果并优化工艺中存在的问题就显得很有必要。研究了一种基于严格电磁场模型的求解方法波导方法,并将此方法拓展应用于模拟MEMS领域中的厚胶曝光场景。通过这一模型,可以模拟光刻胶内部的光强分布,并进一步预测出显影后的光刻胶形貌。最后,针对某些特定掩模版结构,给出它们的仿真结果并验证其正确性。
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-09-16
  • 修回日期:  2014-10-27
  • 刊出日期:  2015-01-27

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