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宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列

杨柳风 王婷

杨柳风, 王婷. 宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024129. doi: 10.11884/HPLPB201527.024129
引用本文: 杨柳风, 王婷. 宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024129. doi: 10.11884/HPLPB201527.024129
Yang Liufeng, Wang Ting. MEMS patch antenna array with broadband and high-gain on double-layer silicon wafers[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024129. doi: 10.11884/HPLPB201527.024129
Citation: Yang Liufeng, Wang Ting. MEMS patch antenna array with broadband and high-gain on double-layer silicon wafers[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024129. doi: 10.11884/HPLPB201527.024129

宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列

doi: 10.11884/HPLPB201527.024129

MEMS patch antenna array with broadband and high-gain on double-layer silicon wafers

  • 摘要: 针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题,设计了一种易与射频(RF)前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合MEMS工艺,将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底,来改善微带天线介质基板的等效介电常数,有效增大了天线的带宽。同时通过在地面引入缺陷地结构(DGS),有效的抑制谐波的产生。在此基础上设计了中心频率为10 Hz,22天线辐射阵列。仿真结果表明,天线相对阻抗带宽达到15.9%,增益超过10.9 dB,比传统微带天线有明显提升,同时满足引信中天线抗干扰的要求。
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-09-16
  • 修回日期:  2014-10-18
  • 刊出日期:  2015-01-27

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