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侯立飞, 杜华冰, 崔延莉, 等. X光二极管脉冲偏压施加技术[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 032020. doi: 10.11884/HPLPB201527.032020
引用本文: 侯立飞, 杜华冰, 崔延莉, 等. X光二极管脉冲偏压施加技术[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 032020. doi: 10.11884/HPLPB201527.032020
Hou Lifei, Du Huabing, Cui Yanli, et al. Pulsed bias application on X-ray diodes[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 032020. doi: 10.11884/HPLPB201527.032020
Citation: Hou Lifei, Du Huabing, Cui Yanli, et al. Pulsed bias application on X-ray diodes[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 032020. doi: 10.11884/HPLPB201527.032020

X光二极管脉冲偏压施加技术

doi: 10.11884/HPLPB201527.032020
详细信息
    通讯作者:

    窦延娟

Pulsed bias application on X-ray diodes

  • 摘要: 为了满足充气腔实验对探测器安全性能的要求,开展了X光二极管的脉冲偏压施加技术的初步研究。在8 ps激光装置上,设计了一种新的基于信号发生器的同步方法,完成了X光二极管脉冲偏压加载工作方式的技术验证。脉冲偏压与直流偏压条件下,探测器上升时间与半高宽变化值不超过10%。脉冲偏压源主要指标确定为脉宽110 s,激光打靶零后2.11 ms完成偏压卸载。
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-06-09
  • 修回日期:  2014-12-16
  • 刊出日期:  2015-02-10

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