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532 nm HfO2/SiO2高反膜的激光预处理效应

刘杰 张伟丽 朱美萍

刘杰, 张伟丽, 朱美萍. 532 nm HfO2/SiO2高反膜的激光预处理效应[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 032034. doi: 10.11884/HPLPB201527.032034
引用本文: 刘杰, 张伟丽, 朱美萍. 532 nm HfO2/SiO2高反膜的激光预处理效应[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 032034. doi: 10.11884/HPLPB201527.032034
Liu Jie, Zhang Weili, Zhu Meiping. Laser conditioning effect of HfO2/SiO2 high reflectors at 532 nm[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 032034. doi: 10.11884/HPLPB201527.032034
Citation: Liu Jie, Zhang Weili, Zhu Meiping. Laser conditioning effect of HfO2/SiO2 high reflectors at 532 nm[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 032034. doi: 10.11884/HPLPB201527.032034

532 nm HfO2/SiO2高反膜的激光预处理效应

doi: 10.11884/HPLPB201527.032034
详细信息
    通讯作者:

    张伟丽

Laser conditioning effect of HfO2/SiO2 high reflectors at 532 nm

  • 摘要: 采用单台阶能量光栅扫描以及R-on-1测试两种不同预处理方式研究了激光预处理技术对532 nm HfO2/SiO2高反膜的阈值提升效果。用Nd:YAG二倍频激光对电子束蒸发制备的532 nm HfO2/SiO2高反膜进行1-on-1损伤阈值测试,然后分别进行单台阶能量光栅扫描以及R-on-1测试。通过对损伤概率以及损伤形貌的分析,发现激光预处理能够去除薄膜内低阈值缺陷,达到提高损伤阈值的目的,损伤阈值分别提高38%和30%。
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-03-15
  • 修回日期:  2014-11-15
  • 刊出日期:  2015-02-10

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