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线阵CCD全饱和单侧拖尾特性分析

周孟莲 张震 张检民 蔡跃 程德艳

周孟莲, 张震, 张检民, 等. 线阵CCD全饱和单侧拖尾特性分析[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 041008. doi: 10.11884/HPLPB201527.041008
引用本文: 周孟莲, 张震, 张检民, 等. 线阵CCD全饱和单侧拖尾特性分析[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 041008. doi: 10.11884/HPLPB201527.041008
Zhou Menglian, Zhang Zhen, Zhang Jianmin, et al. Characteristic analysis of entirely saturated unilateral smear in linear CCD[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 041008. doi: 10.11884/HPLPB201527.041008
Citation: Zhou Menglian, Zhang Zhen, Zhang Jianmin, et al. Characteristic analysis of entirely saturated unilateral smear in linear CCD[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 041008. doi: 10.11884/HPLPB201527.041008

线阵CCD全饱和单侧拖尾特性分析

doi: 10.11884/HPLPB201527.041008
详细信息
    通讯作者:

    周孟莲

Characteristic analysis of entirely saturated unilateral smear in linear CCD

  • 摘要: 在用532 nm连续激光辐照TCD-1200D型线阵CCD的过程中,发现了光斑的全饱和单侧拖尾现象。为了分析这种现象的特性,实验测量了拖尾长度随激光功率、CCD积分时间和CCD驱动频率的关系,发现拖尾长度随着激光功率和积分时间的增加而增加,但在一定范围内与CCD驱动频率无关。通过理论计算和实验数据分析拟合发现,拖尾长度和激光功率密度和积分时间的乘积有关,并根据激光辐照下CCD器件光生电荷量的产生过程,推导出了拖尾长度与CCD势阱光生电荷量的关系,得到了拖尾长度随光生电荷量的变化曲线,为全饱和单侧拖尾现象机理分析提供了数据支持。
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-11-13
  • 修回日期:  2014-12-17
  • 刊出日期:  2015-03-23

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