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高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理

闫涛 李平

闫涛, 李平. 高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 103002. doi: 10.11884/HPLPB201628.151206
引用本文: 闫涛, 李平. 高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 103002. doi: 10.11884/HPLPB201628.151206
Yan Tao, Li Ping. High power microwave damage mechanism on high electron mobility transistor amplifier[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 103002. doi: 10.11884/HPLPB201628.151206
Citation: Yan Tao, Li Ping. High power microwave damage mechanism on high electron mobility transistor amplifier[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 103002. doi: 10.11884/HPLPB201628.151206

高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理

doi: 10.11884/HPLPB201628.151206

High power microwave damage mechanism on high electron mobility transistor amplifier

  • 摘要: 在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25 m栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1 GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明,从栅极注入约40.1 dBm的微波时,HEMT内部峰值温度随着时间的变化振荡上升,最终使得器件失效,栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤;从漏极注入微波时,注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程,注入功率存在一个临界值,高于该值,器件有可能在第一个周期内损伤,损伤位置均在漏极附近。在1 GHz的微波作用下,漏极注入比栅极注入更难损伤。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-11-24
  • 修回日期:  2016-03-04
  • 刊出日期:  2016-10-15

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