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原位溅射型单次试开密码鉴别电路

王宇航 高杨 韩宾 贾乐

王宇航, 高杨, 韩宾, 等. 原位溅射型单次试开密码鉴别电路[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 114101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160140
引用本文: 王宇航, 高杨, 韩宾, 等. 原位溅射型单次试开密码鉴别电路[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 114101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160140
Wang Yuhang, Gao Yang, Han Bin, et al. In-situ sputtering type single-try discriminator circuit[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 114101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160140
Citation: Wang Yuhang, Gao Yang, Han Bin, et al. In-situ sputtering type single-try discriminator circuit[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 114101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160140

原位溅射型单次试开密码鉴别电路

doi: 10.11884/HPLPB201628.160140

In-situ sputtering type single-try discriminator circuit

  • 摘要: 针对目前微机电系统密码锁中的鉴别器结构复杂、智能电子密码锁可靠性不高的问题,设计了一种N bit的原位溅射型单次试开密码鉴别电路。N bit的密码鉴别电路,由2N(N级、每级2个)个原位溅射型OFF-ON开关按照每级二选一的逻辑、N级级联的形式构成;将原位溅射型OFF-ON开关(OFF态到ON态的单向切换具有不可逆特性)与具有熔断特性的保险丝按照装定密码对应的电路关系进行连接,构成了原位溅射型单次试开固态密码锁,可将此密码锁用于对安全性要求高的要害系统、设施中。为了获得原位溅射型OFF-ON开关中金属爆炸箔与叉指电极之间的间隙,给出了三种固态密码鉴别电路的微加工工艺方案。
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-05-17
  • 修回日期:  2016-07-12
  • 刊出日期:  2016-11-15

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