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超宽谱短脉冲电场标准装置馈电结构

蒋廷勇 刘小龙 燕有杰 李鹏辉 陈锦

蒋廷勇, 刘小龙, 燕有杰, 等. 超宽谱短脉冲电场标准装置馈电结构[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 704-708. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0704
引用本文: 蒋廷勇, 刘小龙, 燕有杰, 等. 超宽谱短脉冲电场标准装置馈电结构[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 704-708. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0704
Jiang Tingyong, Liu Xiaolong, Yan Youjie, et al. Feed structure for ultra-wide spectrum short-pulse electric-field standard device[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 704-708. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0704
Citation: Jiang Tingyong, Liu Xiaolong, Yan Youjie, et al. Feed structure for ultra-wide spectrum short-pulse electric-field standard device[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 704-708. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0704

超宽谱短脉冲电场标准装置馈电结构

doi: 10.3788/HPLPB20132503.0704
详细信息
    通讯作者:

    蒋廷勇

Feed structure for ultra-wide spectrum short-pulse electric-field standard device

  • 摘要: 研究了超宽谱脉冲电场产生装置的馈电结构,分析了不同结构参数下馈电点不连续性及其时域响应特性,测试得到了馈电插针在不同插入深度下装置的阻抗匹配特性,结合理论计算和时域有限差分法获取了不同参数下的馈电点处脉冲响应特性,并与实测数据进行了比对。结果表明,当控制馈电结构插针深度为1.0 mm时,其对脉宽0.3~1.5 ns范围内单双极激励脉冲电压反射系数不大于4%。利用D-dot传感器测试了单锥内场脉冲电场波形,结果显示,在单锥TEM室有效时间窗口内,脉冲激励波形与脉冲场测试波形基本一致。
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-03-06
  • 修回日期:  2012-11-11
  • 刊出日期:  2013-03-05

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