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喷雾工艺制备的高性能有机光敏薄膜晶体管

张霖 钟建 陈玉成

张霖, 钟建, 陈玉成. 喷雾工艺制备的高性能有机光敏薄膜晶体管[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 787-790. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0787
引用本文: 张霖, 钟建, 陈玉成. 喷雾工艺制备的高性能有机光敏薄膜晶体管[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 787-790. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0787
Zhang Lin, Zhong Jian, Chen Yucheng. High performance organic phototransistor fabricated by spray technology[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 787-790. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0787
Citation: Zhang Lin, Zhong Jian, Chen Yucheng. High performance organic phototransistor fabricated by spray technology[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 787-790. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0787

喷雾工艺制备的高性能有机光敏薄膜晶体管

doi: 10.3788/HPLPB20132503.0787
详细信息
    通讯作者:

    钟建

High performance organic phototransistor fabricated by spray technology

  • 摘要: 以聚3-己基噻吩(P3HT)为有机层、价格低廉的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为绝缘层制备了底栅顶接触型结构的有机薄膜晶体管(OTFT)。采用一种新型喷雾工艺来制备器件的有机薄膜层,通过测量有机薄膜晶体管的电学特性,可得出应用喷雾制备的器件有较好的性能。在100 mW/cm2标准模拟太阳光照下,测量基于P3HT的有机薄膜晶体管器源漏电流随时间的变化特性,结果表明基于P3HT的有机光敏薄膜晶体管,不仅具有明显的响应特性,而且具有很好的恢复特性。同时,对比黑暗和光照1,2,4 min下的OTFT特性转移曲线,得到器件的阈值电压随时间的变化曲线。
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-06-04
  • 修回日期:  2012-09-13
  • 刊出日期:  2013-03-05

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