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高功率微波及材料特性参数对沿面击穿的影响

董烨 董志伟 周前红 杨温渊 周海京

董烨, 董志伟, 周前红, 等. 高功率微波及材料特性参数对沿面击穿的影响[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1215-1220. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1215
引用本文: 董烨, 董志伟, 周前红, 等. 高功率微波及材料特性参数对沿面击穿的影响[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1215-1220. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1215
Dong Ye, Dong Zhiwei, Zhou Qianhong, et al. Numerical investigation of dielectric window breakdown with different high-power microwave and material characteristic parameters[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1215-1220. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1215
Citation: Dong Ye, Dong Zhiwei, Zhou Qianhong, et al. Numerical investigation of dielectric window breakdown with different high-power microwave and material characteristic parameters[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1215-1220. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1215

高功率微波及材料特性参数对沿面击穿的影响

doi: 10.3788/HPLPB20132505.1215
详细信息
    通讯作者:

    董烨

Numerical investigation of dielectric window breakdown with different high-power microwave and material characteristic parameters

  • 摘要: 为研究高功率微波及材料特性参数对介质沿面闪络击穿过程的影响,采用自编的1D3V PIC-MCC程序,通过粒子模拟手段,得到了电子与离子数目、电子及离子密度分布、空间电荷场时空分布、电子平均能量、放电功率、表面沉积功率、激发电离损耗功率、电离频率等重要物理量。结果表明:电离频率随场强增加而增加,达到饱和后缓慢下降,强场诱发的二次电子数目更多导致本底沉积功率增高;电离频率随频率减小而增加,达到饱和后缓慢下降,频率太高会抑制次级电子倍增;因此,低频强场下击穿压力较大;反射引发表面电场下降及磁场增加效应,降低表面场强虽使表面击穿压力下降,但磁场的增加会导致二次电子倍增起振时间缩短,且会增加器件内部击穿风险;圆极化相对线极化诱导二次电子数目更多、本底沉积功率更高,击穿风险增加;短脉冲产生电子、离子总数少,平均能量低,沉积功率低,击穿风险低于长脉冲;脉冲上升时间的缩短和延长,只会提前或推后击穿时间,并不会改善击穿压力;材料二次电子发射率的增加会给击穿造成巨大压力,表面光滑度对击穿过程影响不大;电离频率和电子平均能量随释气压强增加均先增加后减小,低气压二次电子倍增占优,高气压碰撞电离占优。
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-09-13
  • 修回日期:  2012-10-16
  • 刊出日期:  2013-03-12

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