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绝缘栅双极晶体管串联关键技术

余琳 黄康 王海军 王剑平 盖玲

余琳, 黄康, 王海军, 等. 绝缘栅双极晶体管串联关键技术[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1315-1319. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1315
引用本文: 余琳, 黄康, 王海军, 等. 绝缘栅双极晶体管串联关键技术[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1315-1319. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1315
Yu Lin, Huang Kang, Wang Haijun, et al. Key technologies on series connection of insulated gate bipolar transistors[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1315-1319. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1315
Citation: Yu Lin, Huang Kang, Wang Haijun, et al. Key technologies on series connection of insulated gate bipolar transistors[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1315-1319. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1315

绝缘栅双极晶体管串联关键技术

doi: 10.3788/HPLPB20132505.1315
详细信息
    通讯作者:

    王剑平

Key technologies on series connection of insulated gate bipolar transistors

  • 摘要: 为实现绝缘栅双极晶体管(IGBT)的多级串联,以电阻/电容/二极管(RCD)缓冲电路为动态均压电路,通过数学分析及PSpice仿真验证,建立了RCD缓冲电路参数选择模型;设计了基于数字信号处理器(DSP)控制、光纤隔离传输,以M57962L为IGBT驱动器的驱动电路及故障反馈电路,能驱动32只串联IGBT并对其进行过流和短路保护,32只IGBT的最大导通时间不超过90 ns,短路保护响应时间约为6 s;设计了8路独立输出的50 kV隔离的高压隔离电源,实现IGBT串联电路各部分的供电及电隔离。基于以上IGBT串联方法,实现了32只1200 V IGBT的串联,串联电路可稳定工作在20 kV电压下。
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-07-27
  • 修回日期:  2012-11-08
  • 刊出日期:  2013-03-12

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