留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

百MW过模结构太赫兹源特性

李小泽,  王建国,  朱四桃,  宋志敏,  张余川,  张晓微,  张立刚

downloadPDF
文章导航 > 强激光与粒子束  > 2013 >  25(08): 2017-2020
李小泽, 王建国, 朱四桃, 等. 百MW过模结构太赫兹源特性[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2017-2020. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2017
引用本文: 李小泽, 王建国, 朱四桃, 等. 百MW过模结构太赫兹源特性[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2017-2020. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2017
shu
Li Xiaoze, Wang Jianguo, Zhu Sitao, et al. Characteristics of hundred megawatt overmoded terahertz source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2017-2020. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2017
Citation: Li Xiaoze, Wang Jianguo, Zhu Sitao, et al. Characteristics of hundred megawatt overmoded terahertz source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2017-2020. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2017
shu

百MW过模结构太赫兹源特性

doi: 10.3788/HPLPB20132508.2017
  • 1.

    西北核技术研究所, 西安 71 0024;

  • 2.

    西安交通大学 电子与信息工程学院, 西安71 0049;

  • 3.

    高功率微波技术重点实验室, 西安 71 0024

详细信息
    通讯作者:

    李小泽

Characteristics of hundred megawatt overmoded terahertz source

  • 1.

    Northwest Institute of Nuclear Technology,P.O.Box 69-1,Xi’an 710024,China; 2.School of Electronic and Information Engineering,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,China; 3.Science and Technology on High Power Microwave Laboratory,Xi’an 710024,China

    摘要
  • 摘要: 采用粒子模拟方法对一种基于过模结构的表面波振荡器相对论太赫兹源进行了研究，模拟得到了频率为0.148 THz的电磁波输出，主要输出模式为TM01模式。该结构的特点是没有反射结构，电磁波会进入二极管区域。研究了电子束电压和二极管区域内电磁场对输出功率和频率的影响以及器件几何结构参数对输出功率的影响。计算结果表明，泄露到二极管区域的电磁波对器件工作状态影响很小，但是二极管参数对器件的输出功率影响很大。
    Abstract: A relativistic surface wave oscillator based on overmoded structure is simulated with particle-in-cell method. The output signal is generated with a frequency of 0.148 THz and the main output mode of TM01 according to numerical results. The electromagnetic field may leak into diode region because the device is lack of effective reflector. The characteristics of this device and the influence of the parameters of diode on the device are studied via particle simulation. The simulation results indicate that the electromagnetic field leaking to diode region has little impact on the work status of the device but the output power is affected by the structure of diode seriously.
    • HTML全文
    • 参考文献(0)
    • 相关文章
    • 施引文献
  • 资源附件(0)
  • 加载中
WeChat 点击查看大图
计量
  • 文章访问数:  1734
  • HTML全文浏览量:  264
  • PDF下载量:  341
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-10-22
  • 修回日期:  2013-04-06
  • 刊出日期:  2013-06-19

目录

    /

    返回文章
    返回

    版权所有 © 2014 中国工程物理研究院科技信息中心 蜀ICP备06003668号

    通信地址: 四川省绵阳919信箱805分信箱 (621900)刊社地址: 四川省绵阳市游仙区科学城科技信息中心电话: 0816-2485753传真：0816-2483701Email：HPLPB@caep.cn

    本系统由 北京仁和汇智信息技术有限公司 开发 技术支持: info@rhhz.net   百度统计