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正对电极结构碳化硅光导开关的电路模型

王朗宁 荀涛 杨汉武

王朗宁, 荀涛, 杨汉武. 正对电极结构碳化硅光导开关的电路模型[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2471-2476. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2471
引用本文: 王朗宁, 荀涛, 杨汉武. 正对电极结构碳化硅光导开关的电路模型[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2471-2476. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2471
Wang Langning, Xun Tao, Yang Hanwu. Circuit modeling of vertical geometry SiC photoconductive semiconductor switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2471-2476. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2471
Citation: Wang Langning, Xun Tao, Yang Hanwu. Circuit modeling of vertical geometry SiC photoconductive semiconductor switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2471-2476. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2471

正对电极结构碳化硅光导开关的电路模型

doi: 10.3788/HPLPB20132509.2471
详细信息
    通讯作者:

    王朗宁

Circuit modeling of vertical geometry SiC photoconductive semiconductor switches

  • 摘要: 利用SilvacoTCAD软件,在532 nm激光辐照下,对正对电极结构6H-SiC光导开关(SiC-PCSS)瞬态电流电场的分布及不同光功率下的伏安特性进行了仿真。结果表明:载流子速率在强场下达到饱和,并且电流电场在主要电流区域沿垂直于激光辐照方向均匀分布。提出SiC-PCSS电路模型的建模依据,可以近似条件化简得到PCSS电阻一般表达式的解,建立SiC-PCSS载流子迁移率随电场变化的PSpice模型,分析讨论了外电路参数对SiC-PCSS导通过程的影响。该模型模拟结果与已有实验结果吻合良好。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-02-27
  • 修回日期:  2013-04-25
  • 刊出日期:  2013-07-17

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