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Vaughan二次电子发射模型的深入研究与拓展

游检卫 张剑锋 李韵 王洪广

游检卫, 张剑锋, 李韵, 等. Vaughan二次电子发射模型的深入研究与拓展[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 3035-3039. doi: 10.3788/HPLPB20132511.3035
引用本文: 游检卫, 张剑锋, 李韵, 等. Vaughan二次电子发射模型的深入研究与拓展[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 3035-3039. doi: 10.3788/HPLPB20132511.3035
You Jianwei, Zhang Jianfeng, Li Yun, et al. Research and extension of Vaughan’s secondary electron emission[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 3035-3039. doi: 10.3788/HPLPB20132511.3035
Citation: You Jianwei, Zhang Jianfeng, Li Yun, et al. Research and extension of Vaughan’s secondary electron emission[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 3035-3039. doi: 10.3788/HPLPB20132511.3035

Vaughan二次电子发射模型的深入研究与拓展

doi: 10.3788/HPLPB20132511.3035
详细信息
    通讯作者:

    游检卫

Research and extension of Vaughan’s secondary electron emission

  • 摘要: 当前国际上基于Vaughan二次电子模型的材料数据库十分丰富,且其数据均经过大量实验验证,具有很高的实验精度和可信度。为了将这些数据库融入到自主开发的电磁粒子联合模拟平台,完善和提高电磁粒子混合算法的计算精度,在对经典Vaughan模型做了深入研究的基础上,成功地推导出产生二次电子数目的计算方法。此外,为了使经典Vaughan二次电子发射理论更便捷和完整地应用到实际工程应用当中,还对二次电子出射能量以及二次电子出射角度的计算等实际问题做了进一步的拓展性研究。数值计算结果验证了拓展后Vaughan模型算法的准确性和鲁棒性。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-04-12
  • 修回日期:  2013-07-23
  • 刊出日期:  2013-10-28

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