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基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

刘鑫,  刘进元,  杨方,  张凤霞

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刘鑫, 刘进元, 杨方, 等. 基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(12).
引用本文: 刘鑫, 刘进元, 杨方, 等. 基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(12).
shu
liu xin, liu jin-yuan, yang fang, et al. High-voltage pulse generation with MOSFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: liu xin, liu jin-yuan, yang fang, et al. High-voltage pulse generation with MOSFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
shu

基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

  • 1.

    深圳大学 光电子学研究所, 广东 深圳 51 8060

High-voltage pulse generation with MOSFET

  • 1.

    Institute of Optoelectronics,Shenzhen University,Shenzhen 518060,China

    摘要
  • 摘要: 以高速MOSFET器件为基础，对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究。采用多路并联的高速MOSFET与感应叠加相结合的形式，得到脉冲半宽度为300 ns、上升时间约为60 ns、时间间隔600 ns的超快方波双脉冲；在负载电阻为11.5 Ω时，可以产生365 A的脉冲峰值电流，并且能够提供1.5 MW的峰值输出功率。
    Abstract: Based on high-speed MOSFET switches, the dual ultrafast high voltage pulses are generated with the inductive adder circuit topology. The pulses’ half-width is 300 ns, the rise time is about 60 ns and the time interval between two pulses is 600 ns. The peak pulse current could be 365 A for a load of 11.5 Ω and the corresponding output peak pulse power is 1.5 MW.
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  • 刊出日期:  2008-12-15

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