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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器

刁文豪 江伟华 王新新

刁文豪, 江伟华, 王新新. 基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(03).
引用本文: 刁文豪, 江伟华, 王新新. 基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(03).
diao wenhao, jiang weihua, wang xinxin. Marx generator using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.
Citation: diao wenhao, jiang weihua, wang xinxin. Marx generator using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.

基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器

Marx generator using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

  • 摘要: 给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同,在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节,以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外,实验对开关进行光纤隔离,而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器,这不仅有利于保护实验设备,而且对Marx多级电路的同步性也有很大的贡献。设计的Marx发生器级数为16级,并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果。
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-03-15

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