留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于MOSFET的固体开关技术实验研究

赵军平 章林文 李劲

赵军平, 章林文, 李劲. 基于MOSFET的固体开关技术实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(11).
引用本文: 赵军平, 章林文, 李劲. 基于MOSFET的固体开关技术实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(11).
zhao jun-ping, zhang lin-wen, li jin. Experiment on MOSFET solid state switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.
Citation: zhao jun-ping, zhang lin-wen, li jin. Experiment on MOSFET solid state switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.

基于MOSFET的固体开关技术实验研究

Experiment on MOSFET solid state switch

  • 摘要: 采用两只1kV MOSFET器件及驱动模块和高带宽光纤收发对,研究了固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串并联使用等关键技术。单器件开关获得了1kV,13A,4MHz重复频率的脉冲串输出。两器件并联开关获得了130A,2MHz的输出。两器件串联开关获得了16kV,2MHz重复频率脉冲串输出。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  2668
  • HTML全文浏览量:  237
  • PDF下载量:  860
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2004-11-15

目录

    /

    返回文章
    返回