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脉冲激光烧蚀Ge产生等离子体特性的数值模拟

许媛 吴东江 刘悦

许媛, 吴东江, 刘悦. 脉冲激光烧蚀Ge产生等离子体特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19.
引用本文: 许媛, 吴东江, 刘悦. 脉冲激光烧蚀Ge产生等离子体特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19.
xu yuan, wu dong-jiang, liu yue. Numerical simulation on plasma characteristics of Ge ablated by pulse laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.
Citation: xu yuan, wu dong-jiang, liu yue. Numerical simulation on plasma characteristics of Ge ablated by pulse laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.

脉冲激光烧蚀Ge产生等离子体特性的数值模拟

Numerical simulation on plasma characteristics of Ge ablated by pulse laser

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出版历程
  • 刊出日期:  2007-09-15

脉冲激光烧蚀Ge产生等离子体特性的数值模拟

摘要: 针对激光烧蚀半导体材料Ge初期的特点,建立了1维的热传导和流体动力学模型。对波长为248 nm、脉宽为17 ns、峰值功率密度为4×108 W/cm2的KrF脉冲激光在133.32 Pa氦气环境下烧蚀Ge产生等离子体的特性进行了数值模拟。结果表明:单个激光脉冲对靶的烧蚀深度达到55 nm,蒸气膨胀前端由于压缩背景气体产生压缩冲击波, 波前的速度最大,温度很高。从不同时刻的电离率分布图中得出,在靶面附近区域,Ge的1阶电离始终占优势;在中心区域,脉冲作用时间内,Ge的2阶电离率比1阶电离率大,脉冲结束后,Ge的2阶电离率下降,1阶电离率逐渐变大。

English Abstract

许媛, 吴东江, 刘悦. 脉冲激光烧蚀Ge产生等离子体特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19.
引用本文: 许媛, 吴东江, 刘悦. 脉冲激光烧蚀Ge产生等离子体特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19.
xu yuan, wu dong-jiang, liu yue. Numerical simulation on plasma characteristics of Ge ablated by pulse laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.
Citation: xu yuan, wu dong-jiang, liu yue. Numerical simulation on plasma characteristics of Ge ablated by pulse laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.

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