留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟

王丽梅 曾新吾

王丽梅, 曾新吾. 266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(08).
引用本文: 王丽梅, 曾新吾. 266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(08).
wang li-mei, zeng xin-wu. Molecular dynamics simulation of 266 nm femtosecond laser ablation of monocrystalline silicon[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: wang li-mei, zeng xin-wu. Molecular dynamics simulation of 266 nm femtosecond laser ablation of monocrystalline silicon[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟

Molecular dynamics simulation of 266 nm femtosecond laser ablation of monocrystalline silicon

  • 摘要: 基于Stillinger-Weber(SW)势和“x-分区”模型,用分子动力学方法模拟了266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的过程,给出了烧蚀过程的物理图像,烧蚀过程中材料内部缺陷的产生与发展最终导致整层材料被移除。对比研究了烧蚀材料中不同区域粒子的运动轨迹,结果体现了在固、液、气不同状态下粒子的运动特征。模拟了激光诱导应力波的传播,其速度为8.18 km/s。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  2780
  • HTML全文浏览量:  243
  • PDF下载量:  537
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2008-08-15

目录

    /

    返回文章
    返回