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266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟

王丽梅 曾新吾

王丽梅, 曾新吾. 266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.
引用本文: 王丽梅, 曾新吾. 266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.
wang li-mei, zeng xin-wu. Molecular dynamics simulation of 266 nm femtosecond laser ablation of monocrystalline silicon[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: wang li-mei, zeng xin-wu. Molecular dynamics simulation of 266 nm femtosecond laser ablation of monocrystalline silicon[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟

Molecular dynamics simulation of 266 nm femtosecond laser ablation of monocrystalline silicon

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出版历程
  • 刊出日期:  2008-08-15

266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟

摘要: 基于Stillinger-Weber(SW)势和“x-分区”模型,用分子动力学方法模拟了266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的过程,给出了烧蚀过程的物理图像,烧蚀过程中材料内部缺陷的产生与发展最终导致整层材料被移除。对比研究了烧蚀材料中不同区域粒子的运动轨迹,结果体现了在固、液、气不同状态下粒子的运动特征。模拟了激光诱导应力波的传播,其速度为8.18 km/s。

English Abstract

王丽梅, 曾新吾. 266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.
引用本文: 王丽梅, 曾新吾. 266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.
wang li-mei, zeng xin-wu. Molecular dynamics simulation of 266 nm femtosecond laser ablation of monocrystalline silicon[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: wang li-mei, zeng xin-wu. Molecular dynamics simulation of 266 nm femtosecond laser ablation of monocrystalline silicon[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

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