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1.2 kW C波段固态高效率GaN微波源研制

梁勤金 陈世韬 余川

梁勤金, 陈世韬, 余川. 1.2 kW C波段固态高效率GaN微波源研制[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 103002. doi: 10.11884/HPLPB201426.103002
引用本文: 梁勤金, 陈世韬, 余川. 1.2 kW C波段固态高效率GaN微波源研制[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 103002. doi: 10.11884/HPLPB201426.103002
Liang Qinjin, Chen Shitao, Yu Chuan. Development of 1.2 kW C band solid-state high efficiency GaN microwave source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 103002. doi: 10.11884/HPLPB201426.103002
Citation: Liang Qinjin, Chen Shitao, Yu Chuan. Development of 1.2 kW C band solid-state high efficiency GaN microwave source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 103002. doi: 10.11884/HPLPB201426.103002

1.2 kW C波段固态高效率GaN微波源研制

doi: 10.11884/HPLPB201426.103002
详细信息
    通讯作者:

    梁勤金

Development of 1.2 kW C band solid-state high efficiency GaN microwave source

  • 摘要: 针对传统大功率Si,GaAs固态微波源效率低和高温度性能差的不足,采用导热系数优良的宽禁带GaN单元功放模块集成、低损耗同轴波导径向空间功率合成方法,研制出一种1.2 kW全固态C波段高效率宽禁带GaN微波源。实验结果表明:该方法实现了大功率固态微波源高效率及连续长时间高温风冷散热运行,系统安全可靠。单路功放模块集成6位移相器,移相精度5.6,增益35 dB,输出功率大于31 W。系统连续波输出功率1.2 kW ,总效率30%,谐波抑制-54.8 dBc;杂散-63.69 dBc,相位噪声-94.03 dBc/Hz@1kHz。
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-03-07
  • 修回日期:  2014-06-25
  • 刊出日期:  2014-09-23

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